Разработката PRAM обещава по-висока скорост и издръжливост.
Прототипи на нова памет PRAM с всички шансове да детронира флаша разпространиха Intel и STMicroelectionics до свои партньори, съобщи theinquirer.net.
Първите продукти с кодово име Alverstone предлагат по-висока скорост на четене и запис, отколкото обикновените флаш памети. В същото време PRAM консумира по-малко електроенергия и издържа 1000 пъти повече цикли. Предимство на PRAM е и очакваната по-ниска цена на мегабайт.
Intel и STMicroelectronics разработват технологията от 2003 година насам. През 2004 те представиха първите 8-мегабитови масиви с размер на елементите 180 нанометра. Две години по-късно разработчиците създадоха 128-мегабитови масиви по 90-нанометров процес.
Компаниите твърдят, че технологията на Alverstone е най-големият пробив в индустрията на паметите за последните 40 години.
Прототипи на нова памет PRAM с всички шансове да детронира флаша разпространиха Intel и STMicroelectionics до свои партньори, съобщи theinquirer.net.
Първите продукти с кодово име Alverstone предлагат по-висока скорост на четене и запис, отколкото обикновените флаш памети. В същото време PRAM консумира по-малко електроенергия и издържа 1000 пъти повече цикли. Предимство на PRAM е и очакваната по-ниска цена на мегабайт.
Intel и STMicroelectronics разработват технологията от 2003 година насам. През 2004 те представиха първите 8-мегабитови масиви с размер на елементите 180 нанометра. Две години по-късно разработчиците създадоха 128-мегабитови масиви по 90-нанометров процес.
Компаниите твърдят, че технологията на Alverstone е най-големият пробив в индустрията на паметите за последните 40 години.
Източник: technews.bg
