Флагманският смартфон Samsung Galaxy S8 беше представен само преди няколко месеца, а следващия модел Galaxy S9 ще излезе на пазара едва през следващата година. Въпреки това, в базата данни на теста Geekbench вече се появи информация за този модел. Вероятно в базата е тестван един от предварителните инженерни образци на устройството, наречено SM-G9650.
Според теста, смартфонът Samsung Galaxy S9 съдържа още не анонсирания мобилен процесор Snapdragon 845 (sdm845). Съдейки по всичко, този чип на Qualcomm отново е с 4-ядрената конфигурация. Процесорът работи на честотата от 1,78 Ghz. По предварителни данни, той е произведен по нормите на 7-нанометровия технологичен процес от компанията TSMC, а не от Samsung, както през предишните години. Причината за смяната на контрактния производител стана именно технологичния процес на чиповете. TSMC обещава да произвежда продукти по 7-нанометровата технология, а Samsung може да предложи само 8-нанометров процес. Процесорът Snapdragon 845 може да изкара в теста само 7371 точки, което е значително по-малко от процесора в моделите Galaxy S8 – повече от 9000 точки.
Що се отнася до останалите технически характеристики на смартфона Samsung Galaxy S9 (SM-G9650), то това устройство е снабдено с 4 GB оперативна памет и работи под управлението на операционната система Android 7.1.2. Предишните слухове предполагат, че следващият флагмански смартфон на Samsung ще получи Exynos процесор, произведен по 8-нанометровия технологичен процес, по-тънки граници, четец на пръстови отпечатъци на лицевия панел и двоен модул на камерата върху задния панел.